特許
J-GLOBAL ID：200903046514613740
面発光半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-271410
公開番号（公開出願番号）：特開2007-087994
出願日： 2005年09月20日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：
【課題】高温環境において高速動作特性を維持しながら光出力を向上させた面発光半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 Ga1-xInxNy1As1-y1-y2Sby2(但し、0.1<x、0<y1<0.03、0≦y2≦0.06)井戸層43とGaNz1As1-z1-z2-z3Sbz2Pz3障壁層44(但し、0<z1≦0.05、0≦z2≦0.06、0≦z3≦0.2)とからなる多重量子井戸の活性層42が複数個、各活性層42の略中心が前記共振器41中の定在波パターンの腹の部分に位置するように、共振器41内に設けられている。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
Ga1-xInxNy1As1-y1-y2Sby2(但し、0.1<x、0<y1<0.03、0≦y2≦0.06)井戸層とGaNz1As1-z1-z2-z3Sbz2Pz3障壁層(但し、0<z1≦0.05、0≦z2≦0.06、0≦z3≦0.2)とからなる多重量子井戸の活性層が共振器内に設けられた面発光半導体レーザ素子において、前記活性層は複数個が前記共振器内に設けられ、各活性層はそれぞれの略中心が前記共振器中の定在波パターンの腹の部分に位置するように前記共振器内に設けられていることを特徴とする面発光半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC36
, 5F173AC42
, 5F173AC52
, 5F173AF12
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AP09
, 5F173AR14
, 5F173AR36
, 5F173AR75
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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