半導体構造内の溝形状部および浮彫り形状部の充填方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：原謙三 , 木島隆一 , 金子一郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-512190
公開番号（公開出願番号）：特表2005-535109
出願日： 2003年06月10日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：

本発明は、半導体構造内の溝形状部および浮彫り形状部の充填方法に関するものである。本発明の目的は、簡単かつ安価に実施でき、隙間の形成を確実に防止できる、半導体構造内の溝構造および浮彫り構造に対する充填方法を提供することである。このためには、第1堆積プロセスにおいて、非常に均一でかつ極めて滑らかな第1の一次充填層(2)によって溝構造および浮彫り構造を被覆する。次に、V字形状の輪郭を形成するために、所定の深さの溝構造が得られるまでV字形状にエッチングする。そして、溝構造および浮彫り構造が完全に閉鎖されるまで、非常に均一でかつ極めて滑らかな第2の一次充填層(3)を堆積させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された溝構造および浮彫り構造の充填方法において、第1堆積プロセスにおいて、高度に均一で、かつ、極めて滑らかな第1の一次充填層(2)によって、上記溝構造および浮彫り構造を被覆し、 V字断面を生成するために、溝構造の所定の深さに達するV字エッチングを続いて実施し、溝構造および浮彫り構造が完全に閉鎖されるまで、高度に均一で、かつ、極めて滑らかな第2の一次充填層(3)を堆積させる、半導体基板に形成された溝構造および浮彫り構造の充填方法。

IPC (5件)：

H01L21/8242 , H01L21/28 , H01L21/76 , H01L21/768 , H01L27/108

FI (5件)：

H01L27/10 625Z , H01L21/28 301A , H01L21/28 301R , H01L21/76 V , H01L21/90 A

Fターム (31件)：

4M104BB01 , 4M104DD04 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104FF22 , 5F032AA40 , 5F032AA45 , 5F032AA47 , 5F032AA48 , 5F032AA77 , 5F032CA17 , 5F032DA24 , 5F032DA26 , 5F032DA28 , 5F032DA33 , 5F032DA45 , 5F032DA78 , 5F033JJ04 , 5F033JJ07 , 5F033LL04 , 5F033NN05 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ19 , 5F033QQ35 , 5F033QQ59 , 5F033QQ79 , 5F083AD15 , 5F083GA27 , 5F083MA01 , 5F083PR03

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-111053 出願人：日本電気株式会社
特開昭49-097571
ポリシリコンをバックエッチングするプロセス及びトレンチキャパシタの製造への応用
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-568117 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

全件表示

前のページに戻る