特許
J-GLOBAL ID:200903047348846029
磁気センサ及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
谷 義一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-328280
公開番号(公開出願番号):特開2007-333721
出願日: 2006年12月05日
公開日(公表日): 2007年12月27日
要約:
【課題】ホール素子の感磁面の中心位置を磁性体の端部から所定の距離だけ内側に配置させ、X軸・Y軸の感度とZ軸の感度バラツキを低減させ、感度バランスを良好にする。【解決手段】半導体回路11は、半導体基板13と、この半導体基板13中に埋め込まれた複数のホール素子14a,14bから構成されている。ポリイミド層15は、半導体回路11上に設けられている。磁気収束板12は、ポリイミド層15上に設けられた第1の金属膜16aを介して、その上に設けられた第2の金属膜16b上で、かつホール素子14a,14bの上方に配置されるように設けられている。複数のホール素子の感磁面の中心位置が、磁気収束板の中心位置から半径距離の0.58〜0.92倍の領域内に位置するようにしたので、磁気収束板の直径変動や水平面内の位置ずれに対して、X軸・Y軸の感度とZ軸の感度のバラツキを低減させ、感度バランスを良好になる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
複数のホール素子が設けられた半導体回路と、該半導体回路上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体とを備えた磁気センサにおいて、
前記半導体回路上に、前記複数のホール素子の領域を覆うように設けられた中間層と、
該中間層上に設けられた円形状の磁気増幅機能を有する磁性体と
を備え、前記複数のホール素子の感磁面の中心位置が、前記磁性体の中心位置から半径距離の0.58〜0.92倍の領域内に位置していることを特徴とする磁気センサ。
IPC (2件):
FI (2件):
G01R33/06 H
, H01L43/06 Z
Fターム (13件):
2G017AB07
, 2G017AC07
, 2G017AD53
, 2G017AD64
, 5F092AA15
, 5F092AB01
, 5F092AC02
, 5F092AD07
, 5F092BA12
, 5F092BA15
, 5F092BA20
, 5F092BA37
, 5F092FA08
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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