特許
J-GLOBAL ID：200903047959804062

半導体構造およびそれを形成する方法(金属酸化物の付着を介して形成されたしきい電圧制御層を含む窒素含有電界効果トランジスタ・ゲート・スタック)

発明者：
ボヤールツーク、ネストール、エイ、ジュニア

ボヤールツーク、ネストール、エイ、ジュニア について

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カブラル、シリル、ジュニア

カブラル、シリル、ジュニア について

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カルティエ、エドゥアルト、エイ

カルティエ、エドゥアルト、エイ について

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フランク、マーティン、エム

フランク、マーティン、エム について

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グーセフ、エフゲニ、ピー

グーセフ、エフゲニ、ピー について

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グーハ、スープラティク

グーハ、スープラティク について

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ジャミソン、ポール、シー

ジャミソン、ポール、シー について

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ジャミー、ラジャラオ

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ナラヤナン、ヴィジェイ

ナラヤナン、ヴィジェイ について

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パルチューリ、ヴァムシ、ケイ

パルチューリ、ヴァムシ、ケイ について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (4件)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏 ,  坂口 博
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-541224
公開番号（公開出願番号）：特表2008-521215
出願日： 2005年11月01日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：
【課題】 ゲート誘電体とゲート電極との間にVt安定化層を含む半導体構造を提供することにある。【解決手段】 Vt安定化層は、構造のしきい電圧およびフラットバンド電圧を目標値に安定化することができ、窒化金属酸化物または窒素なし金属酸化物を含み、Vt安定化層が窒素なし金属酸化物を含む条件で半導体基板またはゲート誘電体のうちの少なくとも一方が窒素を含む。また、本発明は、このような構造を形成する方法も提供する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
ソースおよびドレイン拡散領域を有する半導体基板であって、前記ソースおよびドレイン拡散領域がデバイス・チャネルによって分離され、前記デバイス・チャネルの上にゲート・スタックが位置し、前記ゲート・スタックがゲート誘電体とVt安定化層とゲート電極とを含み、前記Vt安定化層が前記ゲート誘電体と前記ゲート電極との間に位置し、前記Vt安定化層が半導体構造のしきい電圧およびフラットバンド電圧を目標値に安定化することができ、前記Vt安定化層が窒化金属酸化物または窒素なし金属酸化物を含み、前記Vt安定化層が窒素なし金属酸化物を含む条件で前記半導体基板または前記ゲート誘電体のうちの少なくとも一方が窒素を含む、半導体構造。
IPC (10件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/316
FI (10件)：
H01L29/78 301G ,  H01L27/08 321D ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/58 G ,  H01L21/283 B ,  H01L21/318 C ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 M ,  H01L21/316 S
Fターム (149件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA06 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD33 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD55 ,  4M104DD65 ,  4M104DD78 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB17 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048DA23 ,  5F048DA24 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BC09 ,  5F058BC11 ,  5F058BC20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD12 ,  5F058BD15 ,  5F058BD18 ,  5F058BH15 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA08 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF05 ,  5F110FF10 ,  5F110FF21 ,  5F110FF23 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG07 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110QQ11 ,  5F140AA06 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA09 ,  5F140BA10 ,  5F140BA18 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF03 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF08 ,  5F140BF09 ,  5F140BF10 ,  5F140BF34 ,  5F140BG08 ,  5F140BG11 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG38 ,  5F140BG45 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 米国特許出願公報第US2002/0090773号A1
  • 米国特許出願公報第US2002/0190302号A1
審査官引用 (9件)
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