特許
J-GLOBAL ID：200903047990847659
半導体基板材料、半導体基板、半導体装置、及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-136164
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335538
出願日： 1997年05月09日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 100W/mK以上の熱伝導率と20×10-6/°C以下の熱膨張率を有し、軽量で均一な組成のAl-SiC複合合金からなる半導体基板材料、これを用いた半導体基板、半導体装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板材料は、焼結法により製造されるAl-SiC複合合金からなり、Al又はAl合金中に10〜70重量%のSiCが粒子状に分散して存在し、Al-SiC合金組成部分におけるSiC量の差が1重量%以内である。この半導体基板材料は、そのまま又はその表面にAlの被覆層等の表面処理を施して、半導体装置の半導体基板として使用される。
請求項（抜粋）：
アルミニウム又はアルミニウム合金中に10〜70重量%の量の炭化ケイ素が粒子状に分散して存在し、そのAl-SiC合金組成部分における炭化ケイ素量の差が1重量%以内であって、100W/mK以上の熱伝導率と20×10-6/°C以下の熱膨張率を有するアルミニウム炭化ケイ素複合合金からなることを特徴とする半導体基板材料。
IPC (6件)：
H01L 23/14
, B22F 3/24
, C22C 1/05
, C22C 1/10
, C22C 21/00
, C25D 17/16
H01L 23/14 M
, C22C 1/05 C
, C22C 1/05 R
, C22C 1/10 J
, C22C 21/00 E
, C25D 17/16 A
, B22F 3/24 102 Z
