特許
J-GLOBAL ID：200903048332828329
有機薄膜表面への導電性薄膜形成方法、有機EL素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-312674
公開番号（公開出願番号）：特開平10-140344
出願日： 1996年11月08日
公開日（公表日）： 1998年05月26日
要約：
【要約】【課題】特性がよく、寿命の長いEL素子を得る技術を提供する。【解決手段】 カソード電極膜材料から成るターゲット9が内部に配置されたコイル7を真空槽内に設け、スパッタリング法によって基板3上の有機薄膜13表面にカソード電極膜14を形成する際、コイル7上端部と基板との距離dを200mm以上にし、コイル7に印加する交流電圧の周波数を13.56MHz〜100MHzの範囲にする。電子やイオンが基板3へ入射しなくなるので、有機薄膜13のダメージを低減できる。カソード電極膜14の形成初期には、真空槽内の圧力を1.33×10-2Pa以下の圧力にしてカソード電極膜14と有機薄膜13の界面のダメージを少なくし、カソード電極膜14が20〜50Å形成されたところでスパッタリングガスの導入量を増加させると、成膜速度が向上する。
請求項（抜粋）：
表面に有機薄膜が形成された基板とターゲットとを真空槽内に配置し、前記ターゲット表面をスパッタリングして前記有機薄膜表面に導電性薄膜を形成する有機薄膜表面への導電性薄膜形成方法であって、前記真空槽内に設けられたコイル内に前記ターゲットを納め、前記真空槽内にスパッタリングガスを導入して前記コイルに交流電圧を印加すると前記ターゲット表面をスパッタリングできるように構成する場合に、前記コイルの上端部が前記ターゲット表面よりも前記基板側に位置するようにし、前記基板表面と前記コイルの上端部との距離を200mm以上にし、前記コイルに印加する交流電圧の周波数を13.56MHz以上100MHz以下にすることを特徴とする有機薄膜表面への導電性薄膜形成方法。
IPC (3件)：
C23C 14/35
, H05B 33/10
, H05B 33/26
C23C 14/35 A
, H05B 33/10
, H05B 33/26
