半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-158935
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353117
出願日： 2001年05月28日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】層間絶縁膜に設けられたビアホールに金属プラグを埋め込み、その上にアルミニウム配線を形成する場合、フォトマスクの金属プラグに対する位置合わせのための検出波形が、検出波形のノイズとなるアルミニウムのグレイン境界検出波形と同じレベルの大きさとなる場合が生じやすく、ノイズの方を検出してしまったときに金属プラグに対するアルミニウム配線の位置精度を悪化させ、アルミニウム配線と金属プラグとの接触面積が減少し、接触抵抗の増大を招く。【解決手段】金属プラグ7を層間絶縁膜4表面から突出させ、金属プラグ7を所定のマージンをもって完全に包含する形状のパターンを有するフォトマスクを用いることにより、アルミニウム8の段差とアルミニウム8のグレインの検出波形差を大きくすることができ、両者の波形を明確に識別でき、金属プラグ7に対するアルミニウム配線の位置精度を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された下地絶縁膜上に第1の配線を形成する工程と、前記下地絶縁膜上に前記第1の配線を覆うべく層間絶縁膜を前記第1の配線よりも厚く形成する工程と、前記第1の配線の上の層間絶縁膜をその表面から研磨して前記層間絶縁膜の表面を平坦にし、前記層間絶縁膜を第1の平坦化膜とする工程と、前記第1の配線の上の第1の平坦化膜を開口して前記第1の配線の上に前記第1の配線の表面内に包含される形状の開口部を形成する工程と、前記開口部に第1の金属膜を埋め込む工程と、前記第1の金属膜が前記第1の平坦化膜表面よりも突出すべく前記第1の平坦化膜をその表面から一部除去して前記第1の平坦化膜表面の高さを低くして前記第1の平坦化膜を第2の平坦化膜とする工程と、前記第2の平坦化膜上に第2の金属膜を堆積させて前記第1の金属膜を覆う第2の金属膜に前記第1の金属膜の前記第2の平坦化膜表面からの突出部の高さに相当する段差を形成する工程と、前記第2の金属膜の上方を覆うレジスト膜を塗布する工程と、前記レジスト膜に光を当てて前記レジスト膜下の前記段差による反射光を検出して前記段差の平面的な位置を検出する工程と、前記位置を基準として前記レジスト膜に上方のフォトマスクの位置を決定し、前記フォトマスクを通して前記レジスト膜を露光、現像し、前記第1の金属膜の突出部の上方にレジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクをマスクとして少なくとも前記レジストマスク直下の材料膜のエッチングを通して前記第2の金属膜をエッチング除去し、前記第1の金属膜と接続する第2の金属膜からなる第2の配線を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記レジストマスクは、前記第1の金属膜の突出部を包含する形状に形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/30 502 M , H01L 21/88 B

Fターム (16件)：

5F033HH08 , 5F033JJ19 , 5F033KK08 , 5F033MM13 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ01 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ16 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033XX15 , 5F046AA17 , 5F046EA18 , 5F046EB09

引用特許：

審査官引用 (13件)

半導体装置の多層配線構造及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-183562 出願人：株式会社東芝
特開平4-288836
特開平4-061218

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