特許
J-GLOBAL ID：200903048749991559
シリカ系被膜付き基材の製造方法及び本方法で製造されたシリカ系被膜付き基材
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河備 健二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-344767
公開番号（公開出願番号）：特開平9-157544
出願日： 1995年12月05日
公開日（公表日）： 1997年06月17日
要約：
【要約】【課題】 耐摩耗性、耐熱性、耐蝕性等に優れているのみならず、低温形成性(酸化速度が速い)、緻密性に優れたシリカ系被膜を有する半導体装置、液晶装置等用の基材、特に配線等の半導体装置に悪影響を与えず、被膜のロスや焼成装置の汚染を起こさない基材の製造方法並びに本方法によって得られる基材を提供する。【解決手段】 ポリシラザン(変性物)を、基材上に塗布した後、該ポリシラザン又はその変性物をセラミックス化することにより該基材上にシリカ被膜を形成するに当たり、前記ポリシラザン又はその変性物を塗布する前又は塗布した後に、前記ポリシラザン又はその変性物にアミン類及び/又は酸類を接触させ、セラミックス化する。
請求項（抜粋）：
主として下記一般式(I)【化1】(式中、R1、R2及びR3は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、若しくはこれらの基以外でフルオロアルキル基等のケイ素に直結する基が炭素である基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基又はアルコキシ基を表す。但し、R1、R2及びR3の少なくとも1つは水素原子である。)で表される構造単位からなる骨格を有する数平均分子量が約100〜50,000のポリシラザン又はその変性物を基材上に塗布した後、該ポリシラザンをセラミックス化することにより該基材上にシリカ系被膜を形成する方法であって、前記ポリシラザン又はその変性物を塗布する前又は塗布した後に前記ポリシラザン又はその変性物にアミン類及び/又は酸類を接触させることを特徴とするシリカ系被膜付き基材の製造方法。
IPC (4件)：
C09D 1/00 PCJ
, C03C 17/30
, C09D183/16 PMM
, H01L 21/31
C09D 1/00 PCJ
, C03C 17/30 B
, C09D183/16 PMM
, H01L 21/31
審査官引用 (30件)
-
セラミックスの低温形成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-313425
出願人：東燃株式会社
-
特開平1-203429
-
特開平1-203430
全件表示
前のページに戻る
