特許
J-GLOBAL ID:200903048795220303
ウェハ重ね合わせ方法及びウェハ重ね合わせ装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
渡辺 隆男
, 大澤 圭司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-060207
公開番号(公開出願番号):特開2005-251972
出願日: 2004年03月04日
公開日(公表日): 2005年09月15日
要約:
【解決課題】 複数の半導体装置を有するウェハを積層し、チップの高密度化、高速駆動を図る場合、相互の電極接合の位置合わせが重要になる。従来よりもウェハのサイズが大きくなって場合、ウェハ全面で高精度に接合する電極の位置あわせは従来の方法では精度が不足となっている。 【解決手段】 一方のウェハ上のアライメントマークを基準顕微鏡により測定する。他方のウェハに対しては、ウェハ上のアライメントマークとホルダ上の基準マークの位置位置関係を測定し、次いで、基準マークを測定用顕微鏡(基準顕微鏡との位置関係は既知)で検出する。この結果、基準マークを仲介させてウェハ上のアライメントマークと基準顕微鏡との位置関係が把握でき、互いの位置を合わせるようにウェハを移動して重ね合わせると、高精度な位置合わせが可能になる。 【選択図】図1
請求項(抜粋):
複数の半導体装置を有する第1、第2のウェハを重ね合わせる、重ね合わせ方法であって、
複数の基準マークを周辺部に有する第1のホルダに前記第1のウェハを固定する、第1のウェハ固定工程、
前記第1のウェハ上のアライメントマークと前記基準マークの位置関係を測定する、第1の測定工程、
第2のホルダに前記第2のウェハを固定する、第2のウェハ固定工程、
前記第2のウェハを保持する前記第2のホルダをX,Y方向に移動可能な第2のテーブルに固定する、第2のホルダ固定工程、
前記第2のホルダに保持された前記第2のウェハ上のアライメントマークの基準座標系中での位置座標を測定する、第2の測定工程、
前記第1のウェハを保持する前記第1のホルダを第1のテーブルに固定する、第1のホルダ固定工程、
前記基準マークの前記基準座標系中での位置座標を測定する、第3の測定工程、
前記第3の測定工程で測定された前記基準マークの位置座標及び前記第1の測定工程で測定された前記位置関係を基に、前記第1のウェハ上のアライメントマークの前記基準座標系での位置座標を求める、位置座標決定工程、
前記位置座標決定工程及び前記第2の測定工程での結果に基づいて、前記第1,第2のウェハの重ね合わせ位置を調整する、位置調整工程、
前記第1、第2のホルダを相対的にZ方向に移動させて第1の、第2のウェハを近接させる近接化工程、
前記第1、第2のウェハを接触させた状態で前第1、第2のホルダを重ね固定する、重ね固定工程
を有することを特徴とする、重ね合わせ方法。
IPC (5件):
H01L21/02
, H01L21/68
, H01L25/065
, H01L25/07
, H01L25/18
FI (4件):
H01L21/02 B
, H01L21/02 A
, H01L21/68 F
, H01L25/08 Z
Fターム (15件):
5F031CA02
, 5F031HA13
, 5F031HA16
, 5F031HA53
, 5F031JA04
, 5F031JA17
, 5F031JA28
, 5F031JA32
, 5F031JA38
, 5F031KA06
, 5F031KA07
, 5F031KA08
, 5F031KA13
, 5F031KA14
, 5F031LA15
引用特許:
出願人引用 (7件)
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-065435
出願人:シャープ株式会社
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3次元積層半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-231214
出願人:シャープ株式会社
-
積層型半導体パッケージ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-162016
出願人:株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
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審査官引用 (2件)
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