特許
J-GLOBAL ID：200903049012714348
タングステンビットラインの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-332894
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188264
出願日： 1999年11月24日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：
【要約】【課題】 コンタクト抵抗を低減し拡散隔壁特性を向上させて接合漏れ電流を減少させるに適した、高温の後続工程で安定的なタングステンビットラインの形成方法を提供する。【解決手段】 ビットラインの形成方法は、不純物領域を有するシリコン基板1を用意する第1段階と、前記不純物領域にコンタクトホールを有する層間絶縁膜8を形成する第2段階と、前記コンタクトホール内にチタン膜19及び窒化チタン膜20を形成する第3段階と、前記チタン膜19と基板1のシリコンとを反応させてC54構造のチタンシリサイドを形成するように熱処理する第4段階と、前記コンタクトホール内の窒化チタン膜20上にタングステンプラグを形成する第5段階とを備える。
請求項（抜粋）：
不純物領域を有するシリコン基板を用意する第1段階と、前記不純物領域にコンタクトホールを有する層間絶縁膜を形成する第2段階と、前記コンタクトホール内にチタン膜及び窒化チタン膜を形成する第3段階と、前記チタン膜と基板のシリコンとを熱処理により反応させてC54構造のチタンシリサイドを形成する第4段階と、前記コンタクトホール内の窒化チタン膜上にタングステンプラグを形成する第5段階とを備えることを特徴とするビットラインの形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/768
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/28 301 T
, H01L 21/90 C
, H01L 27/10 681 B
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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