特許
J-GLOBAL ID：200903049301442364
十分に格子緩和された高品質SiGeオン・インシュレータ基板材料を製造する方法、基板材料、およびヘテロ構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
坂口 博
, 市位 嘉宏
, 上野 剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-158994
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363592
出願日： 2004年05月28日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：
【課題】SIMOXおよびGe相互拡散を用いて十分に格子緩和された高品質SiGeオン・インシュレータ基板材料を形成する方法を提供する。【解決手段】Si含有基板内に注入リッチ領域を形成するために、Si含有基板にイオンを最初に注入する。注入リッチ領域は、高温でのアニールの間にGe拡散を妨げるバリア層が形成されるように充分なイオン濃度を有する。次に、Ge含有層は、Si含有基板の表面の上に形成され、その後、加熱工程が、バリア層の形成およびGeの相互拡散を可能にする温度で行われ、それによって、バリア層の上に十分に格子緩和された単結晶SiGe層を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
十分に格子緩和された高品質SiGeオン・インシュレータ基板材料を製造する方法において、
Geの拡散バリアの働きをするのに充分なイオン濃度を有する注入リッチ領域を形成するためにSi含有基板にイオンを注入する工程を含み、前記注入リッチ領域は、その上にSi含有基板の表面層が配置され、
注入されたSi含有基板の上にGe含有層を形成する工程を含み、
(i)拡散バリア層の形成と、(ii)前記Ge含有層、および注入リッチ領域の上に配置されるSi含有基板の前記表面層に渡るGeの相互拡散とを可能にする温度で基板を加熱する工程を含み、これにより前記拡散バリア層の上に十分に格子緩和されたSiGe層を形成する、製造方法。
IPC (3件)：
H01L27/12
, H01L21/20
, H01L27/08
H01L27/12 E
, H01L21/20
, H01L27/08 331E
5F048AC03
, 5F048BA05
, 5F048BA14
, 5F048BA15
, 5F048BA16
, 5F052GC01
, 5F052GC03
, 5F052JA04
, 5F052KA01
, 5F052KA05
