特許
J-GLOBAL ID：200903049583887169
リソグラフィ装置および二重露光オーバレイ制御を用いたデバイス製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
稲葉 良幸
, 大賀 眞司
, 大貫 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-064287
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258707
出願日： 2007年03月14日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】オーバレイ要件を緩和することによって二重露光テクノロジを改善する。【解決手段】アラインメントマークを形成するためにメインマークM0のパターンをベース層Wに転写し、ベース層Wにパターン受け層L2を堆積させ、第1リソグラフィプロセスにおいて、メインマークM0を使用して、第1パターンPT1およびローカルマークパターンLMを含む第1マスクを位置合わせし、第1パターンPT1およびローカルマークパターンLMをパターン受け層L2に転写し、ローカルマークパターンLMを使用して、第2パターンPT2を含む第2マスクMS2をパターン受け層L2に対して位置合わせし、第2リソグラフィプロセスにおいて、第2パターンPT2をパターン受け層L2に転写することを含み、第1および第2パターンは、集合パターンPT3を形成するように構成される。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
パターニングデバイスから基板にパターンを転写し、
アラインメントマークを形成するためにメインマークのパターンをベース層に転写し、
前記ベース層にパターン受け層を堆積させ、
リソグラフィプロセスにおいて、前記メインマークを使用して、第1パターンおよびローカルマークパターンを備える第1マスクを位置合わせして、前記第1パターンおよび前記ローカルマークパターンを前記パターン受け層に転写し、
前記ローカルマークパターンを使用して、第2パターンを備える第2マスクを前記パターン受け層に対して位置合わせし、
第2リソグラフィプロセスにおいて、前記第2パターンを前記パターン受け層に転写し、前記第1および第2パターンが集合パターンを形成するように構成される、デバイス製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20
, G03F 9/00
H01L21/30 514A
, H01L21/30 523
, G03F7/20 521
, G03F9/00 H
5F046AA11
, 5F046AA13
, 5F046BA03
, 5F046EA19
, 5F046EB01
, 5F046EC05
, 5F046ED01
