膜形成用組成物、膜形成用組成物の形成方法およびシリカ系膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-068978
公開番号（公開出願番号）：特開2001-254052
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体素子などにおける層間絶縁材料として、誘電特性や機械的強度に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。【解決手段】 (A)下記一般式(1)、(2)、(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を、有機アミンの存在下で加水分解して得られる縮合物、ならびに(B)非プロトン性溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。RaSi(OR1)4-a (1)Si(OR2)4 (2)R3b(R4O)3-bSi-(R7)-Si(OR5)3-cR6c (3)(式中Rは水素原子、フッ素原子または一価の有機基、R1〜R6は一価の有機基、R7は酸素原子、フェニレン基、-(CH2)n-で表される基、aは1〜2の整数、b,cは0〜2の数、dは0または1、nは1〜6の整数を示す。)

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を、有機アミンの存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c・・・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕ならびに(B)非プロトン性溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。

IPC (5件)：

C09D183/04 , C09D183/14 , C23C 18/12 , H01L 21/312 , H01L 21/316

FI (5件)：

C09D183/04 , C09D183/14 , C23C 18/12 , H01L 21/312 C , H01L 21/316 G

Fターム (52件)：

4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038DL051 , 4J038DL071 , 4J038DL101 , 4J038DL151 , 4J038DL161 , 4J038GA01 , 4J038GA07 , 4J038GA09 , 4J038GA12 , 4J038JA33 , 4J038JA34 , 4J038JA56 , 4J038JA57 , 4J038JB01 , 4J038JB03 , 4J038JB04 , 4J038JB06 , 4J038JB08 , 4J038JB09 , 4J038JB25 , 4J038JB27 , 4J038JB30 , 4J038JB33 , 4J038JC32 , 4J038KA03 , 4J038LA03 , 4J038LA05 , 4J038MA06 , 4J038MA09 , 4J038NA11 , 4J038NA21 , 4J038PA19 , 4J038PB09 , 4K022AA02 , 4K022AA43 , 4K022BA15 , 4K022BA20 , 4K022BA33 , 4K022DA06 , 4K022DB01 , 4K022EA01 , 5F058AA08 , 5F058AA10 , 5F058AB05 , 5F058AB07 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開平3-008709
ポリ(シロキサン)樹脂の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-022675 出願人：沖電気工業株式会社
ジシラン含有オルガノポリシロキサン及びその製造方法並びに表面処理剤及び結合剤
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-143816 出願人：信越化学工業株式会社

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