特許
J-GLOBAL ID：200903050008906842
負帯電用電子写真感光体の製造方法、及び負帯電用電子写真感光体、及びそれを用いた電子写真装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
宮崎 昭夫
, 石橋 政幸
, 岩田 慎一
, 緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-227750
公開番号（公開出願番号）：特開2006-085158
出願日： 2005年08月05日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：
【課題】 画像欠陥を低減させる効果を低下させずに第1の層と第2の層との密着性を向上させ、且つ全体のコストを低減することができる負帯電用電子写真感光体の製造方法及び、それによって製造された負帯電用電子写真感光体、および電子写真装置を提供する。【解決手段】 第1の層を積層し、突起の少なくとも頭頂部を除去した基体を成膜炉内に設置し、少なくとも周期表第13族元素を含むガスと水素、アルゴン、ヘリウムから選ばれる少なくとも一つからなる希釈ガスで前記第1の層表面をプラズマ処理し、前記第1の層上に非単結晶材料からなる層を第2の層として積層させることを特徴とする負帯電用電子写真感光体の製造方法、及び負帯電用電子写真感光体、ならびに該負帯電用電子写真感光体を用いた電子写真装置。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
非単結晶材料からなる層を含む負帯電用電子写真感光体の製造方法において、
第1ステップとして、排気手段に接続され、原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な成膜炉内に導電性の表面を有する円筒状基体を設置し、原料ガスを高周波電力により分解し、該基体上に、第1の層として少なくとも非単結晶材料からなる光導電層を堆積する工程と、
第2ステップとして、前記第1の層を積層した基体を一旦成膜炉から取り出す工程と、
第3ステップとして、前記第1ステップにおいて積層された前記第1の層表面の突起に対して、少なくともその頭頂部の除去を図る工程と、
第4ステップとして、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な成膜炉内に前記第3ステップの工程を終えた基体を設置し、少なくとも周期表第13族元素を含むガスと水素、アルゴン、ヘリウムから選ばれる少なくとも一つからなる希釈ガスで前記第1の層表面をプラズマ処理する工程と、
第5ステップとして、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、前記第1の層上に非単結晶材料からなる層を第2の層として積層させる工程を有することを特徴とする負帯電用電子写真感光体の製造方法。
IPC (1件)：
FI (4件)：
G03G5/08 360
, G03G5/08 303
, G03G5/08 306
, G03G5/08 308
2H068DA05
, 2H068DA08
, 2H068DA12
, 2H068DA15
, 2H068DA19
, 2H068EA24
, 2H068EA30
, 2H068EA35
, 2H068EA43
, 2H068FC03
