シリコン薄膜、シリコン単結晶粒子群及びそれらの形成方法、並びに、半導体装置、フラッシュメモリセル及びそれらの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-088728
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041234
出願日： 1997年03月24日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】シリコン単結晶粒子群を規則的に絶縁膜上に配列でき、しかも、形成を容易に且つ短時間で行うことができるシリコン薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】基体12上に形成された非晶質若しくは多結晶のシリコン層13に紫外線ビームをパルス状にて照射し、シリコン単結晶粒子群から成るシリコン薄膜14を基体12上に形成するシリコン薄膜の形成方法は、矩形状の紫外線ビームの照射完了から次の矩形状の紫外線ビームの照射開始までの間における紫外線ビーム照射位置の移動量Lを40μm以下とし、且つ、移動方向に沿って測った紫外線ビームの幅Wに対する該移動量の割合R(=L/W)を0.1乃至5%とし、以て、基体上に格子状に配列した略矩形のシリコン単結晶粒子群から成り、シリコン単結晶粒子の基体の表面に対する選択方位が略〈100〉方位であるシリコン薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

基体上に形成された非晶質若しくは多結晶のシリコン層に紫外線ビームをパルス状にて照射し、シリコン単結晶粒子群から成るシリコン薄膜を基体上に形成するシリコン薄膜の形成方法であって、矩形状の紫外線ビームの照射完了から次の矩形状の紫外線ビームの照射開始までの間における紫外線ビーム照射位置の移動量を40μm以下とし、且つ、移動方向に沿って測った紫外線ビームの幅に対する該移動量の割合を0.1乃至5%とし、以て、基体上に格子状に配列した略矩形のシリコン単結晶粒子群から成り、シリコン単結晶粒子の基体の表面に対する選択方位が略〈100〉方位であるシリコン薄膜を形成することを特徴とするシリコン薄膜の形成方法。

IPC (9件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/115 , H01L 27/12 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 Z , H01L 27/12 R , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371 , H01L 29/78 620 , H01L 29/78 627 G

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開昭59-138329
不揮発性記憶素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-324684 出願人：ソニー株式会社
特開平1-255271

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審査官引用 (10件)

特開昭59-138329
不揮発性記憶素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-324684 出願人：ソニー株式会社
特開平1-255271

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