特許
J-GLOBAL ID：200903050280550968
面発光半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-233223
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158340
出願日： 2002年08月09日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：
【要約】【課題】 電流狭窄構造を有する面発光レーザの通電特性を改善し、面発光レーザの信頼性を向上させる。【解決手段】 面発光レーザは、MQW活性層24と、このMQW活性層24を上下に挟む半導体積層構造を成す反射鏡22、27と、上部反射鏡27の一部に形成され注入電流の通路を規定する電流狭窄層26とを有する。電流狭窄層26は、電流阻止領域を構成するAl酸化領域26A及び電流通路を構成するAl非酸化領域26Bを有し、Al非酸化領域26Bの面積が200μm2以上であり、上部反射鏡の一部によって活性層24から離隔されて上部反射鏡27内に形成される。電流狭窄層26を活性層24から離隔させ、また、Al非酸化領域26Bの大きさを所定値以上にすることにより、電流狭窄構造を形成する際の熱処理によって活性層24に与える応力を低減する。これにより、レーザ素子の出力特性や温度特性を改善し、その信頼性を向上させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板上に形成した活性層、該活性層を挟む一対の半導体多層膜反射鏡、及び、前記活性層に注入する電流通路を規定する電流狭窄層を含むレーザ積層構造とを備え、前記半導体多層膜反射鏡の一方から基板面と直交方向にレーザ光を照射する面発光レーザ素子において、前記電流狭窄層は、Alが選択的に酸化されたAl酸化領域とAlが酸化されないAl非酸化領域とを有するAl含有化合物半導体層から成り、前記Al非酸化領域の面積が200μm2以上であることを特徴とする面発光レーザ素子。
Fターム (8件)：
5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073CA05
, 5F073DA25
, 5F073DA27
, 5F073DA35
, 5F073EA28
