特許
J-GLOBAL ID：200903050572939491

半導体装置の製造方法

発明者：
二瀬 卓也

二瀬 卓也 について

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佐々木 英二

佐々木 英二 について

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村田 周平

村田 周平 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-332347
公開番号（公開出願番号）：特開2007-142066
出願日： 2005年11月17日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：
【課題】水分および有機物の吸着量の少ないTEOS膜を形成する。【解決手段】TEOSおよび酸素(O2)を含む混合ガスを反応室51に供給する工程を有するプラズマCVD法によって、ステージ53上に配置された半導体ウエハ1Wの主面上にTEOS膜を成膜する。反応室51内に配置されたシャワーヘッド52の電極には、13.56MHzの高周波電力および350kHzの高周波電力を供給し、酸素とTEOSとの流量比を、3以上、10未満とする。このTEOS膜の成膜速度が50nm/min以上、150nm/min以下となるように調整する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(a)13.56MHzの高周波電力と、300kHz以上、500kHz以下の高周波電力とを反応室に配置された電極に供給する工程と、 (b)TEOSに対する酸素の流量比を3以上、10未満とし、前記TEOSおよび前記酸素を含む混合ガスを前記反応室に供給する工程と、を有するプラズマCVD法によって、半導体基板の主面上にTEOS膜を成膜する半導体装置の製造方法であって、 前記TEOS膜の成膜速度を10nm/min以上、450nm/min以下に制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L21/316 X ,  H01L21/90 K ,  H01L21/90 A ,  H01L21/90 C
Fターム (59件)：
5F033HH04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH23 ,  5F033HH25 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK23 ,  5F033KK25 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR12 ,  5F033RR21 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033VV06 ,  5F033WW00 ,  5F033WW06 ,  5F033WW09 ,  5F033XX09 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (2件)

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