特許
J-GLOBAL ID：200903051130150810
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
片寄 恭三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-293509
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103772
出願日： 2005年10月06日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】 アンダーフィル用樹脂内のボイドの発生を抑制し、信頼性の高いフリップチップ実装を実現した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップ20の一方の主面22に2次元状に形成された複数の電極24を、基板30上の対応する導電性領域32、34に接合するステップと、真空雰囲気中で、半導体チップの一方の主面と基板との間にアンダーフィル用樹脂40を供給するステップと、アンダーフィル樹脂40が供給された半導体チップおよび基板を大気中に露出するステップとを有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(a)半導体チップの一方の主面に2次元状に形成された複数の電極を、基板上の対応する導電性領域に接合するステップと、
(b)真空雰囲気中で、半導体チップの一方の主面と基板との間にアンダーフィル用樹脂を供給するステップと、
(c)アンダーフィル用樹脂が供給された半導体チップおよび基板を大気中に露出するステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/56 E
, H01L21/60 311Q
5F044LL01
, 5F044RR19
, 5F061AA01
, 5F061BA03
, 5F061CA04
, 5F061CB03
, 5F061CB13
出願人引用 (1件)
-
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-024098
出願人：株式会社ルネサステクノロジ
審査官引用 (9件)
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