特許
J-GLOBAL ID：200903061566104835
低誘電率膜を有する半導体装置、およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-109983
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307633
出願日： 1998年04月20日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】いわゆるダマシン法により配線を形成するにあたり、低誘電率有機膜を層間絶縁膜に用いる場合の、有機膜が従来の無機膜に比して柔らかい、熱伝導性に劣るなどの問題点を解決する半導体装置、および該半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜の上に形成された比誘電率が3.0以下の誘電体有機膜と、該誘電体有機膜中に絶縁膜に接する配線膜を有し、前記配線膜の上面が前記誘電体有機膜の上面よりも高く形成された半導体装置。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜の上に形成された比誘電率が3.0以下の誘電体膜と、該誘電体膜中に前記絶縁膜に接する配線層とを有し、前記配線層の上面が前記誘電体膜の上面よりも高く形成されている、半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/768
, H01L 21/312
, H01L 21/316
, H01L 21/31
, C08F214/18
, C08G 73/10
H01L 21/90 S
, H01L 21/312 A
, H01L 21/316 G
, C08F214/18
, C08G 73/10
, H01L 21/90 A
, H01L 21/95
