特許
J-GLOBAL ID：200903051648365569

リッジ導波路型半導体レーザ

発明者：
松村 拓明

松村 拓明 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-394474
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101483
出願日： 2003年11月25日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】 リッジ導波路型半導体レーザにおいて、実装時に生じるレーザ特性異常や寿命特性の劣化を防止することのできる、新規なレーザ素子構造を提供する。【解決手段】 p側半導体層14に形成された導波路形成用のリッジ部14aと、リッジ部頂面の少なくとも一部が露出するように覆う絶縁保護膜17と、そこから露出したリッジ部にオーミック接触したp側オーミック電極15と、p側オーミック電極に電気接触するよう形成されたp側パッド電極19とを備えたリッジ導波路型半導体レーザにおいて、p側オーミック電極とp側パッド電極の間に、低融点金属の拡散を防止可能な拡散防止層30が形成され、拡散防止層が、少なくとも絶縁保護膜17から露出したリッジ部14aを覆う。拡散防止層により、実装用の導電性接合剤からリッジ部に低融点金属が拡散することを抑制し、p側オーミック電極とp型窒化物半導体層とのオーミック接触を良好に維持する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
活性層を挟むn側半導体層及びp側半導体層と、前記p側半導体層に形成された導波路形成用のリッジ部と、前記リッジ部を、その頂面の少なくとも一部が露出するように覆う絶縁保護膜と、前記絶縁保護膜から露出したリッジ部にオーミック接触したp側オーミック電極と、該p側オーミック電極に電気接触するよう形成されたp側パッド電極とを備えたリッジ導波路型半導体レーザにおいて、 前記p側オーミック電極と前記p側パッド電極の間に、中間層が形成され、該中間層が、少なくとも前記絶縁保護膜から露出した前記リッジ部を覆うことを特徴とするリッジ導波路型半導体レーザ。
IPC (3件)：
H01S5/022 ,  H01L21/28 ,  H01S5/323
FI (3件)：
H01S5/022 ,  H01L21/28 301B ,  H01S5/323 610
Fターム (43件)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB36 ,  4M104DD07 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104GG04 ,  4M104HH05 ,  4M104HH09 ,  4M104HH15 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA89 ,  5F073AB02 ,  5F073BA02 ,  5F073BA05 ,  5F073BA07 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073CA12 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB20 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA30 ,  5F073DA31 ,  5F073DA33 ,  5F073DA34 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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