特許
J-GLOBAL ID:200903051705483484

自動フッ素制御システム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 稔 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-023954
公開番号(公開出願番号):特開平11-274610
出願日: 1999年02月01日
公開日(公表日): 1999年10月08日
要約:
【要約】【課題】エキシマレーザシステムに関する自動フッ素制御システムを提供する。【解決手段】 フッ素がそれをレーザチャンバ内に注入する前に注入された固定容積の注入ボトルを有するフッ素制御を備えたエキシマレーザシステム。連続フッ素注入を達成する速度で正確な注入をすることができるマニホールド及びフィードバック制御システムを提供する。そのシステムは、充電電圧の狭い範囲によって測定された小さなスィートスポットでレーザを作動させる。
請求項(抜粋):
A)1)間隔が隔てられた2つの細長い電極と、2)希ガスと、フッ素と、バッファガスと、を有するレーザガスと、を備えるレーザチャンバと、B)間隔が隔てられた2つの電極の間にレーザガスを流すためのブロワーと、C)フッ素源と、D)少なくとも0.3リットルの容積を備える注入ボトルと、E)前記フッ素源と前記注入ボトルとの間、及び、前記注入ボトルと前記レーザチャンバとの間にガスフローコミュニケーションを提供するガス注入マニホールドと、F)レーザチャンバのフッ素濃度によって決定された所望のスィートスポット内で前記レーザを作動させることができるように、前記フッ素源から前記注入ボトル内へ、及び、前記注入ボトルから前記レーザチャンバ内へ、フッ素注入フローを自動的に制御するように配置されたフッ素制御システムと、を有するエキシマレーザシステム。
IPC (2件):
H01S 3/036 ,  H01S 3/225
FI (2件):
H01S 3/03 J ,  H01S 3/223 E
引用特許:
審査官引用 (11件)
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