基板処理装置および基板処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：振角正一 , 梁瀬右司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-347453
公開番号（公開出願番号）：特開2008-159872
出願日： 2006年12月25日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：

【課題】基板端部に対して洗浄処理を施す際に、基板を汚染させることなく基板端部を良好に洗浄することのできる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】基板Wの表面周縁部TRおよび該表面周縁部TRに連なる基板Wの周端面を基板Wの端部として、供給位置P31に位置決めされた第1ノズル3からオゾン水を回転する基板Wの端部に供給して該基板端部に酸化膜を形成しつつ、第2ノズル4を供給位置P41に位置決めされた第2ノズル4からフッ酸を回転する基板Wの端部に供給して酸化膜を除去する。これにより、基板端部の各部に対して酸化膜形成と酸化膜除去とが交互に実行される。このため、基板端部に付着する不要物が酸化膜とともに効率良く基板端部から除去される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の表面周縁部および該表面周縁部に連なる前記基板の周端面を前記基板の端部として該基板端部に対して洗浄処理を施す基板処理装置において、基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段により保持された基板を回転させる回転手段と、前記基板の表面側の第1供給位置に位置決めされ、前記基板端部に液体状の酸化剤を供給して前記基板端部に酸化膜を形成する第1ノズルと、前記基板の表面側でかつ前記第1供給位置と異なる第2供給位置に位置決めされ、前記基板端部にフッ酸を供給して前記基板端部から前記酸化膜を除去する第2ノズルとを備え、前記回転手段により回転される前記基板の端部に対して前記第1ノズルから前記液体状の酸化剤を供給しつつ前記第2ノズルからフッ酸を供給することを特徴とする基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/304 , G03F 1/08 , G02F 1/13 , G02F 1/133

FI (6件)：

H01L21/304 643A , H01L21/304 647Z , H01L21/304 648Z , G03F1/08 X , G02F1/13 101 , G02F1/1333 500

Fターム (7件)：

2H088FA21 , 2H088FA30 , 2H088HA01 , 2H088MA20 , 2H090JB02 , 2H090JC19 , 2H095BB22

引用特許：

出願人引用 (8件)

シリコンウェーハの洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-132617 出願人：信越半導体株式会社
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-240090 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-027847 出願人：大日本スクリーン製造株式会社

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審査官引用 (5件)

基板処理装置及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-143255 出願人：株式会社スプラウト
配線形成方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-022190 出願人：株式会社荏原製作所, 荏原ユージライト株式会社
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-019596 出願人：大日本スクリーン製造株式会社

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