特許
J-GLOBAL ID：200903052252017700

表面処理方法およびそれを用いる電子部品の製造方法

発明者：
山崎 勝義

山崎 勝義 について

, 
塚本 然造

塚本 然造 について


出願人/特許権者：
株式会社シミズ

株式会社シミズ について


代理人 (1件)： 西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-067837
公開番号（公開出願番号）：特開2006-249509
出願日： 2005年03月10日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：
【課題】 複雑な形状に加工された基体に対しても、加熱による損傷などを与えることなく、所望の部分にめっきを施すことのできる表面処理方法を提供する。【解決手段】 基体14の長手状部分7の全表面に電着塗装によってレジスト層15を形成した後、低濡れ性領域形成予定部23に形成されたレジスト層15を長手状部分7の周方向全周にわたって露光して現像することによってレジストパターン16を形成し、基体14の長手状部分7のレジスト層15で覆われていない部分22にめっきを施す。これによって、複雑な形状に加工された基体14に対しても、また基体14のピッチTが0.1mm程度と狭い場合であっても、基体14の長手状部分7の所望の部分に周方向全周にわたってめっきを施すことができるので、長手状部分7の周方向全周にわたって、はんだ接合部とコネクタ嵌合部との間に低濡れ性領域が形成されたコネクタピンなどの接点部品を容易に製造することができる。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
長手状部分を有する基体の表面処理方法であって、基体の長手状部分の全表面にわたって電着塗装によってレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、形成されたレジスト層の少なくとも一部分を基体の長手状部分の周方向全周にわたって露光する露光工程と、露光されたレジスト層を現像してレジストパターンを形成する現像工程と、基体の長手状部分のレジスト層で覆われていない部分にめっきを施すめっき工程とを含むことを特徴とする表面処理方法。
IPC (5件)：
C25D 5/02 ,  C25D 7/00 ,  G03F 7/40 ,  H01R 13/03 ,  H01R 43/16
FI (5件)：
C25D5/02 E ,  C25D7/00 H ,  G03F7/40 521 ,  H01R13/03 D ,  H01R43/16
Fターム (22件)：
2H096AA27 ,  2H096HA27 ,  4K024AA01 ,  4K024AA03 ,  4K024AA10 ,  4K024AA11 ,  4K024AA12 ,  4K024AA21 ,  4K024AA24 ,  4K024AB01 ,  4K024AB02 ,  4K024BA09 ,  4K024BB10 ,  4K024BC01 ,  4K024FA07 ,  4K024FA08 ,  4K024GA14 ,  4K024GA16 ,  5E063GA03 ,  5E063GA08 ,  5E063XA01 ,  5E063XA04
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (8件)
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