特許
J-GLOBAL ID：200903052335456381

光半導体装置およびこれを実装した光半導体モジュール

発明者：
国井 秀雄

国井 秀雄 について

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武 俊之

武 俊之 について

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井野口 浩

井野口 浩 について

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石川 勉

石川 勉 について

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新井 政至

新井 政至 について

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小堀 浩

小堀 浩 について

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瀬山 浩樹

瀬山 浩樹 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-218196
公開番号（公開出願番号）：特開2000-004067
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：
【要約】【課題】 発光素子や受光素子の外形をできる限り薄くし、これを組み込んだモジュールやセットに於いても小型化を可能とする。【解決手段】 発光素子、受光素子として半導体チップ23,24があり、これらを封止する樹脂封止体25は、光に対して透明となる材料で成る。また光が素子から発光される領域上、光が素子に入射される領域上には、溝27が形成され、ここに反射面26を構成する。その結果光は側面Eを介して、射出・入射が可能となる。
請求項（抜粋）：
受光面を有する半導体チップと、前記半導体チップを封止する封止体と、前記受光面の垂線と所定の角度で交差して前記封止体に設けられる反射面とを有し、前記光の光路は、前記封止体の側面より入射し、前記反射面を介して曲折され、前記受光面に入射する事を特徴とした光半導体装置。
IPC (4件)：
H01S 5/30 ,  G11B 7/125 ,  H01L 31/02 ,  H01L 33/00
FI (4件)：
H01S 3/18 ,  G11B 7/125 A ,  H01L 33/00 N ,  H01L 31/02 B
Fターム (41件)：
5D119AA02 ,  5D119AA05 ,  5D119AA38 ,  5D119BA01 ,  5D119BA02 ,  5D119EC25 ,  5D119EC30 ,  5D119FA29 ,  5D119FA30 ,  5D119FA33 ,  5D119FA36 ,  5D119JA57 ,  5D119JC05 ,  5D119JC06 ,  5D119KA02 ,  5D119KA33 ,  5D119KA34 ,  5D119KA43 ,  5D119NA04 ,  5D119NA05 ,  5D119NA06 ,  5F041AA47 ,  5F041DA17 ,  5F041DA26 ,  5F041DA44 ,  5F041DA55 ,  5F041FF14 ,  5F073AB15 ,  5F073BA02 ,  5F073BA06 ,  5F073FA04 ,  5F073FA16 ,  5F073FA28 ,  5F073FA29 ,  5F088BA15 ,  5F088BA16 ,  5F088BB01 ,  5F088EA20 ,  5F088JA02 ,  5F088JA06 ,  5F088JA18
引用特許：
審査官引用 (16件)
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