特許
J-GLOBAL ID:200903053502134606
基板の表面処理方法とその装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
橋本 剛
, 鵜澤 英久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-229726
公開番号(公開出願番号):特開2008-053560
出願日: 2006年08月25日
公開日(公表日): 2008年03月06日
要約:
【課題】光の利用率を高めて、プロセスの低温化、スループットの増大、及び大型基板の均一処理を行う。【解決手段】基板2が格納されると共にオゾンガスが流通し且つ前記光が導入される処理炉内には集光手段として前記オゾンガスを含む雰囲気のもとで紫外線を中心に210nmから長波長に離散的なスペクトルを有する光を集光させる集光台1が設けられる。集光台1はオゾンに対して不活性な材料からなると共に前記導入した光を全反射させる面11を有する。集光台1の底部10には台12を介して基板2が置かれる。台12はオゾンに対して不活性であると共に前記光を透過する材料からなる。集光台1は前記導入した光のうち基板2の周辺に照射された光を面11によって台12及びまたは基板2の方向に集光させる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
オゾンガスを含む雰囲気のもとで210nmから長波長の紫外領域の光を基板に照射して前記基板の表面を酸化処理する基板の表面処理方法であって、
基板が格納されると共にオゾンガスが流通し且つ前記光が導入される処理炉と
この処理炉内に導入した前記光を集光させる集光手段と
を有し、
前記処理炉内に導入された光のうち前記基板の周辺に照射される光を前記集光手段によって前記基板の方向に集光させること
を特徴とする基板の表面処理方法。
IPC (3件):
H01L 21/316
, H01L 21/027
, H01L 21/31
FI (3件):
H01L21/316 X
, H01L21/30 572A
, H01L21/31 E
Fターム (15件):
5F045AA20
, 5F045AB32
, 5F045AD06
, 5F045AD07
, 5F045BB07
, 5F045BB08
, 5F045EC05
, 5F045EK11
, 5F045EK19
, 5F045EM09
, 5F046MA13
, 5F058BC02
, 5F058BF62
, 5F058BF78
, 5F058BG03
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (4件)