オプトエレクトロニクス応用のための(Al、In、Ga)NおよびZn(S、Se)のウェハボンディング方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：清水守
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-520436
公開番号（公開出願番号）：特表2008-506259
出願日： 2005年07月06日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：

(Al、In、Ga)NおよびZn(S、Se)間のウェハボンディング構造を作製する方法。比較的短い光の波長に対して高反射でかつ導電性のある分布ブラッグ反射器(DBR)をZn(S、Se)およびMgS/(Zn、Cd)Se材料を用いて作製できる。ウェハボンディング技術を用いて、この高品質DBR構造をGaN系光デバイス構造と組み合わせることができる。

請求項（抜粋）：

(a)ZnSSeウェハを作製する工程、 (b)前記ZnSSeウェハを平坦化し、清浄化する工程、 (c)AlGaInNウェハを作製する工程、 (d)前記AlGaInNウェハを清浄化する工程、および (e)前記ZnSSeウェハおよび前記AlGaInNウェハを重ね合わせて、この重ね合わされたウェハを融着する工程を備えたことを特徴とするウェハボンディング方法。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 C , H01L33/00 D

Fターム (9件)：

5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA44 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA73 , 5F041CA77 , 5F041CB15

引用特許：

審査官引用 (6件)

デバイス及びAlxGayInzN構造の組立方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-025788 出願人：アジレント・テクノロジーズ・インク
垂直共振器型半導体発光素子、発光装置、光ディスク装置、記録装置、及びエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-044296 出願人：松下電器産業株式会社
GaN単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板、窒化物系半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-137722 出願人：住友電気工業株式会社, インスティテュートオブマテリアルズリサーチアンドエンジニアリング

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