特許
J-GLOBAL ID：200903053886178273

薄膜コンデンサ、薄膜コンデンサ内蔵型高密度実装基板、および薄膜コンデンサの製造方法

発明者：
逢坂 哲彌

逢坂 哲彌 について

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小岩 一郎

小岩 一郎 について

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橋本 晃

橋本 晃 について

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佐藤 善美

佐藤 善美 について


出願人/特許権者：
学校法人早稲田大学

学校法人早稲田大学 について

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沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について

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東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-052400
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159259
出願日： 2004年02月26日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】高密度実装基板の電気的特性や寸法特性を損なうことなく、基板内に内蔵することのでき、かつ充分な容量を持つ薄膜コンデンサ、薄膜コンデンサ内蔵型高密度実装基板、および薄膜コンデンサの製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも高誘電体層とこれを上下から挟む上部電極層と下部電極層とを有してなり、前記上部および下部電極層のコンタクト部が前記上部電極の上に引き出されており、前記高誘電体層の膜厚が200nmから50nmである構造の薄膜コンデンサを製造し、半導体配線板の内蔵用受動部品として使用する。【選択図】 図14
請求項（抜粋）：
高密度実装基板に内蔵可能な薄膜コンデンサであって、 当該コンデンサは少なくとも高誘電体キャパシタから構成されていることを特徴とする薄膜コンデンサ。
IPC (4件)：
H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G13/06 ,  H05K3/46
FI (11件)：
H01G4/12 394 ,  H01G4/12 397 ,  H01G4/12 400 ,  H01G4/30 301A ,  H01G4/30 301B ,  H01G4/30 301E ,  H01G4/30 311D ,  H01G4/30 311E ,  H01G4/30 311F ,  H01G13/06 ,  H05K3/46 Q
Fターム (63件)：
5E001AB06 ,  5E001AC05 ,  5E001AC10 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AF06 ,  5E001AH03 ,  5E001AH06 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E001AJ03 ,  5E082AA20 ,  5E082AB03 ,  5E082BB02 ,  5E082BB10 ,  5E082BC39 ,  5E082BC40 ,  5E082CC05 ,  5E082DD02 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE24 ,  5E082EE26 ,  5E082EE27 ,  5E082EE37 ,  5E082EE45 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG44 ,  5E082FG56 ,  5E082GG11 ,  5E082GG26 ,  5E082JJ05 ,  5E082JJ06 ,  5E082JJ07 ,  5E082JJ12 ,  5E082JJ15 ,  5E082JJ30 ,  5E082KK01 ,  5E082KK08 ,  5E082LL02 ,  5E082LL15 ,  5E082PP03 ,  5E082PP09 ,  5E346AA02 ,  5E346AA12 ,  5E346AA13 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346AA51 ,  5E346BB11 ,  5E346CC16 ,  5E346CC21 ,  5E346DD07 ,  5E346EE33 ,  5E346FF45 ,  5E346GG17 ,  5E346GG28 ,  5E346HH24
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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