特許
J-GLOBAL ID：200903053960649992

半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者：
大久保 伸洋

大久保 伸洋 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-053320
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261387
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】 光出射端面近傍の活性層領域でCODが発生しやすくなり、高出力駆動時の最大光出力の低下を引き起こし、十分な長期信頼性が得られない。【解決手段】 一対のクラッド層で挟まれた活性層を備えた半導体レーザ素子において、少なくとも、そのレーザ共振器端面近傍領域に水素原子が含まれており、且つ、レーザ共振器端面近傍領域の活性層のバンドギャップが、レーザ共振器内部領域の活性層のバンドギャップよりも大きくてなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
一対のクラッド層で挟まれた活性層を備えた半導体レーザ素子において、少なくとも、そのレーザ共振器端面近傍領域に水素原子が含まれており、且つ、レーザ共振器端面近傍領域の活性層のバンドギャップが、レーザ共振器内部領域の活性層のバンドギャップよりも大きくてなることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/16 ,  H01S 5/343
FI (2件)：
H01S 5/16 ,  H01S 5/343
Fターム (12件)：
5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA87 ,  5F073CA14 ,  5F073CB19 ,  5F073DA06 ,  5F073DA15 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (12件)
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