特許
J-GLOBAL ID：200903054143793328
半導体保持装置、その製造方法およびその使用方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-209449
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040734
出願日： 1998年07月24日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】セラミックス製の半導体保持部材の表面温度を、金属製の冷却媒体で熱量を奪うことによって制御する技術において、半導体保持部材を高温領域で使用し、その温度制御をできるようにし、半導体保持部材を構成するセラミッスク内部の温度勾配を抑制してその破壊を防止し、かつ半導体保持部材への入射熱量を増大させた場合に、半導体保持部材の表面温度の制御を可能とする【解決手段】半導体保持装置は、半導体を保持するための、窒化物セラミックス基材3を備えた半導体保持部材2と、金属製の冷却装置11と、半導体保持部材2と冷却装置11との間に挟まれている介在層9とを備える。介在層9が厚さ500μm以下の金属箔またはカーボンシートからなる。
請求項（抜粋）：
半導体を保持するための、窒化物セラミックス基材を備えた半導体保持部材と、金属製の冷却装置と、前記半導体保持部材と前記冷却装置との間に挟まれている介在層とを備えており、前記介在層が厚さ500μm以下の金属箔またはカーボンシートからなることを特徴とする、半導体保持装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/68 R
, B23Q 3/15 D
3C016GA10
, 5F031BB09
, 5F031BC01
, 5F031FF03
, 5F031KK03
, 5F031KK07
, 5F031MM01
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (2件)
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