不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-028712
公開番号（公開出願番号）：特開2002-230984
出願日： 2001年02月05日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】本発明は、フローティングゲートにチャージロスやチャージゲインが発生しても、データ変化を防ぐことが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルアレイと、第1の参照電位、第1の参照電位より高い第2の参照電位、及び第1の参照電位より低い第3の参照電位を生成する参照電位発生回路と、メモリセルアレイから読み出したデータ電位を第1の参照電位と比較して第1の判定結果を生成すると共に、データ電位を第2の参照電位及び第3の参照電位の何れかと比較して第2の判定結果を生成するセンスアンプと、第1の判定結果と第2の判定結果とを比較する比較器を含む。

請求項（抜粋）：

メモリセルアレイと、第1の参照電位、該第1の参照電位より高い第2の参照電位、及び該第1の参照電位より低い第3の参照電位を生成する参照電位発生回路と、該メモリセルアレイから読み出したデータ電位を該第1の参照電位と比較して第1の判定結果を生成すると共に、該データ電位を該第2の参照電位及び該第3の参照電位の何れかと比較して第2の判定結果を生成するセンスアンプと、該第1の判定結果と該第2の判定結果とを比較する比較器を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 16/02 , G01R 31/28 , G01R 31/319 , G11C 16/06 , G11C 29/00 673

FI (9件)：

G11C 29/00 673 V , G11C 17/00 601 Q , G01R 31/28 B , G01R 31/28 V , G01R 31/28 R , G11C 17/00 633 Z , G11C 17/00 634 E , G11C 17/00 634 G , G11C 17/00 639 Z

Fターム (24件)：

2G132AA09 , 2G132AB20 , 2G132AC03 , 2G132AD05 , 2G132AH07 , 2G132AK07 , 2G132AL31 , 5B025AA03 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD02 , 5B025AD04 , 5B025AD05 , 5B025AD06 , 5B025AD07 , 5B025AD09 , 5B025AD13 , 5B025AD16 , 5B025AE08 , 5L106AA10 , 5L106BB01 , 5L106BB11 , 5L106DD31 , 5L106GG07

引用特許：

審査官引用 (9件)

電気的にプログラム可能なメモリ及びメモリへのデータ書き込み方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-354549 出願人：エスジェーエス-トムソンミクロエレクトロニクスソシエテアノニム
多値メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-182293 出願人：株式会社東芝
多水準持久記憶素子の直列二値感知用感知回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-066710 出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスエッセエッレエーレ

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