特許
J-GLOBAL ID：200903054458862123
面発光半導体レーザ装置および光伝送モジュールおよび光伝送システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-204807
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128482
出願日： 2003年07月31日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】素子抵抗が低く、かつ活性領域に均一に電流を注入でき、光吸収損失の小さい面発光半導体レーザ装置および光伝送モジュールおよび光伝送システムを提供する。【解決手段】本発明の面発光半導体レーザ装置は、基板に垂直な共振器を形成する下部多層膜反射鏡および上部多層膜反射鏡と、共振器内に配置された活性層とを有し、共振器上に第1の電極が形成され、基板の裏面に第2の電極が形成されており、共振器内に、活性層のバンドギャップよりも大きく、かつ共振器を構成する材料のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを有するキャリア拡散層が設けられていることを特徴としている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板に垂直な共振器を形成する下部多層膜反射鏡および上部多層膜反射鏡と、共振器内に配置された活性層とを有し、共振器上に第1の電極が形成され、基板の裏面に第2の電極が形成されており、共振器内に、活性層のバンドギャップよりも大きく、かつ共振器を構成する材料のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを有するキャリア拡散層が設けられていることを特徴とする面発光半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073AB28
, 5F073BA02
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073DA14
, 5F073DA21
, 5F073EA23
