特許
J-GLOBAL ID:200903054514540312
フレキシブルTFT基板及びその製造方法とフレキシブルディスプレイ
発明者:
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者:
,
,
代理人 (1件):
岡本 啓三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-348405
公開番号(公開出願番号):特開2008-159935
出願日: 2006年12月25日
公開日(公表日): 2008年07月10日
要約:
【課題】プラスチックフィルム上に所望の有機TFT素子が何ら不具合が発生することなく形成されると共に、信頼性の高い高性能な有機TFT素子を有するフレキシブルTFT基板を提供する。【解決手段】プラスチックフィルム20の上に、接着層46と、下側絶縁層44と、有機活性層38a、38b、ソース電極36a、36x、ドレイン電極36b、36y、ゲート絶縁層34及びゲート電極32a、32bから構成されて下側絶縁層44に埋設されたTFT5,6とが順に形成されて構成され、TFT5,6のゲート絶縁層34は、ゲート電極32a,32bを構成する金属パターン層(タンタルパターン層)の表層部が陽極酸化されて得られた金属酸化層(タンタル酸化層)からなる。【選択図】図15
請求項(抜粋):
画素ごとにTFTが設けられたアクティブマトリクス型のフレキシブルTFT基板であって、
プラスチックフィルムと、
前記プラスチックフィルムの上に形成された接着層と、
前記接着層の上に形成された下側絶縁層と、
前記下側絶縁層に埋設された前記TFTであって、下から順に、有機活性層と、ソース電極及びドレイン電極と、ゲート絶縁層と、ゲート電極とが形成されて構成される前記TFTと、
前記TFTのドレイン電極に電気的に接続されて、前記画素内に設けられた画素電極とを有し、
前記TFTの前記ゲート絶縁層は、前記ゲート電極を構成する金属パターン層の表層部が陽極酸化されて得られた金属酸化層からなることを特徴とするフレキシブルTFT基板。
IPC (11件):
H01L 21/336
, H01L 29/786
, H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 51/05
, H05B 33/02
, H01L 51/50
, H05B 33/12
, G02F 1/136
, G02F 1/134
, H01L 21/316
FI (13件):
H01L29/78 617W
, H01L29/78 617T
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 612Z
, H01L29/78 627D
, H01L27/12 B
, H01L29/28 100A
, H05B33/02
, H05B33/14 A
, H05B33/12 B
, G02F1/1368
, G02F1/1345
, H01L21/316 U
Fターム (65件):
2H092GA29
, 2H092GA50
, 2H092JA24
, 2H092JA46
, 2H092KA05
, 2H092KB04
, 2H092KB13
, 2H092KB24
, 2H092KB25
, 2H092MA04
, 2H092MA05
, 2H092MA13
, 2H092NA07
, 2H092NA24
, 2H092NA29
, 2H092PA01
, 3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC21
, 3K107CC36
, 3K107CC45
, 3K107DD03
, 3K107DD16
, 3K107DD17
, 3K107DD71
, 3K107DD74
, 3K107EE04
, 3K107GG00
, 5F058BC03
, 5F058BF70
, 5F058BJ01
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC03
, 5F110DD01
, 5F110DD12
, 5F110DD14
, 5F110DD17
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF24
, 5F110GG05
, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG42
, 5F110HK02
, 5F110HK04
, 5F110HK21
, 5F110NN03
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN33
, 5F110NN35
, 5F110NN71
, 5F110NN72
, 5F110NN73
, 5F110NN78
, 5F110QQ11
, 5F110QQ16
引用特許: