特許
J-GLOBAL ID:200903054543353807
ポジ型レジスト組成物
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-095805
公開番号(公開出願番号):特開2004-302199
出願日: 2003年03月31日
公開日(公表日): 2004年10月28日
要約:
【課題】遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ-ション本来の性能向上技術における課題を解決するポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、PEB時間依存性が小さい遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】すべての繰り返し単位がアクリル単位であり、脂環基を有し、芳香族基を有しない、酸の作用により現像液に対する溶解性が向上する樹脂(A)、繰り返し単位としてアクリル単位とメタクリル単位を含有し、芳香族基を有しない、酸の作用により現像液に対する溶解性が向上する樹脂(B)、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(C)を含有するポジ型レジスト組成物。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
すべての繰り返し単位がアクリル単位であり、脂環基を有し、芳香族基を有しない、酸の作用により現像液に対する溶解性が向上する樹脂(A)、繰り返し単位としてアクリル単位とメタクリル単位を含有し、芳香族基を有しない、酸の作用により現像液に対する溶解性が向上する樹脂(B)、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(C)を含有するポジ型レジスト組成物。
IPC (2件):
FI (2件):
G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
Fターム (11件):
2H025AA02
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CB60
引用特許:
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