発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山下穣平 , 志村博 , 永井道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-258265
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073311
出願日： 2005年09月06日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】有機EL発光層などの自発光素子を用いてディスプレイを作製する際に両面で発光するディスプレイを作製することができるようにする。【解決手段】薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor TFT)705で発光層713における発光を駆動し、発光層713を下部電極709と上部電極715とで挟む発光素子において、TFT705の活性層がInとGaとZnを含み、かつ電子キャリア濃度が1018/cm3未満であり、かつ少なくとも一部が非晶質の酸化物であり、かつTFT705のドレイン電極に発光層713の一部が電気的に接続され、少なくともTFT705の電極と、下部電極709と、下部電極709とドレイン電極とを接続する電極とが透明である。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor TFT)で発光層における発光を駆動し、該発光層を第1の電極と第2の電極とで挟む発光素子において、前記TFTの活性層がInとGaとZnを含み、かつ電子キャリア濃度が1018/cm3未満であり、かつ少なくとも一部が非晶質の酸化物であり、かつ前記TFTのドレイン電極に前記発光層の一部が電気的に接続され、少なくとも前記TFTのソース、ドレイン及びゲート電極と、前記第1の電極と、前記第1の電極と前記ドレイン電極とを接続する電極とが透明であることを特徴とする発光素子。

IPC (8件)：

H05B 33/28 , H01L 51/50 , H05B 33/14 , H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (11件)：

H05B33/28 , H05B33/14 A , H05B33/14 Z , H01L29/78 618B , H01L29/78 618F , H01L29/78 616V , H01L29/78 617M , H01L29/78 616T , H01L21/28 301R , H01L29/50 M , H01L29/58 G

Fターム (65件)：

3K007AB06 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007CA06 , 3K007CB01 , 3K007CC00 , 3K007DB03 , 3K007FA02 , 4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104GG09 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110AA16 , 5F110CC01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD11 , 5F110EE02 , 5F110EE07 , 5F110EE23 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF05 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK07 , 5F110HK33 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HM03 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN71 , 5F110NN73 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (3件)

透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-208948 出願人：ホーヤ株式会社
導電性透明基材およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-132030 出願人：出光興産株式会社
半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-264885 出願人：科学技術振興事業団

審査官引用 (5件)

トランジスタ及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-326889 出願人：科学技術振興事業団
発光装置及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325367 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-264885 出願人：科学技術振興事業団

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