特許
J-GLOBAL ID:200903054598047675
低加速電子線用ポジ型レジスト組成物
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 柳井 則子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-334029
公開番号(公開出願番号):特開2005-099504
出願日: 2003年09月25日
公開日(公表日): 2005年04月14日
要約:
【課題】 高解像性で、ドライエッチング耐性に優れ、膜減りの低減された、低加速電子線を用いて露光する工程を経てレジストパターンを形成する方法に好適に用いられるポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】 酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含む低加速電子線用ポジ型レジスト組成物であって、該低加速電子線用ポジ型レジスト組成物から形成されるレジスト膜の未露光部における前記アルカリ現像後の残膜率が80%以上であることを特徴とする低加速電子線用ポジ型レジスト組成物。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含む低加速電子線用ポジ型レジスト組成物であって、
該低加速電子線用ポジ型レジスト組成物から形成されるレジスト膜の未露光部における前記アルカリ現像後の残膜率が80%以上であることを特徴とする低加速電子線用ポジ型レジスト組成物。
IPC (2件):
FI (2件):
G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
Fターム (15件):
2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AA09
, 2H025AB16
, 2H025AC06
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025CB16
, 2H025CB17
, 2H025CB45
, 2H025CC20
, 2H025FA17
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (8件)
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引用文献:
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