特許
J-GLOBAL ID：200903054661654544

単結晶窒化ガリウム基板を製造する方法、窒化ガリウム基板、および窒化物半導体エピタクシャル基板

発明者：
上野 昌紀

上野 昌紀 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (5件)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-014838
公開番号（公開出願番号）：特開2005-206424
出願日： 2004年01月22日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】 より多くの窒化物半導体素子を提供できるGaN基板を作製する方法を提供する。【解決手段】単結晶窒化ガリウム基板を製造する方法は、(a)気相成長法によって成長された窒化ガリウム単結晶のインゴット1を所定の平面S1、S2、S3に沿って切断して一または複数の単結晶窒化ガリウム基板7を作製する。単結晶窒化ガリウム基板7の主面は鏡面仕上げされており、窒化ガリウム基板7の主面は、窒化ガリウム基板7のエッジから3ミリメートル以内の第1の領域と、第1の領域に囲まれた第2の領域とを有する。基板1の主面に直交する軸と窒化ガリウム基板のC軸との成すオフ角度は、第1の領域内の第1の点で最小値をとる。この方法によれば、インゴット1を所定の平面S1、S2、S3に沿って切断して、オフ角度が主面の第1の領域内の第1の点で最小値をとる単結晶窒化ガリウム基板が作製される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
単結晶窒化ガリウム基板を製造する方法であって、 気相成長法によって所定の軸の方向に成長された窒化ガリウム単結晶のインゴットを、前記所定の軸に対して傾斜する所定の平面に沿って切断して、一または複数の単結晶窒化ガリウム基板を作製する工程を備え、 前記単結晶窒化ガリウム基板の主面は鏡面仕上げされており、 前記窒化ガリウム基板の前記主面は、前記窒化ガリウム基板のエッジから3ミリメートル以内の第1の領域と、前記第1の領域に囲まれた第2の領域とを有しており、 前記主面に直交する軸と前記窒化ガリウム基板のC軸との成すオフ角度は、前記単結晶窒化ガリウム基板の前記主面上の前記第1の領域にある第1の点で最小値をとる、方法。
IPC (3件)：
C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  H01L33/00
FI (3件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  H01L33/00 C
Fターム (18件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077HA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  5F041AA41 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (5件)
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