特許
J-GLOBAL ID:200903054782998844
基板処理方法、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 青山 正和
, 西 和哉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-350684
公開番号(公開出願番号):特開2006-190996
出願日: 2005年12月05日
公開日(公表日): 2006年07月20日
要約:
【課題】液浸露光工程を含むデバイス製造工程において、デバイス欠陥の発生を抑制できる基板処理方法を提供する。【解決手段】液体LQの液浸領域AR2を基板P上に形成し、液浸領域AR2の液体LQを介して基板P上に露光光ELを照射して基板Pを露光する工程を含む基板処理方法において、基板Pが液浸領域AR2の液体LQと接触している接液時間を管理する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
液体の液浸領域を基板上に形成し、前記液浸領域の液体を介して前記基板上に露光光を照射して前記基板を露光する工程を含む基板処理方法において、
前記基板が前記液浸領域の液体と接触している接液時間を管理する基板処理方法。
IPC (1件):
FI (2件):
H01L21/30 515D
, H01L21/30 514E
Fターム (4件):
5F046BA05
, 5F046DA07
, 5F046DA30
, 5F046DB14
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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半導体洗浄装置に於ける洗浄槽の構造
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-111039
出願人:エス・イー・エス株式会社
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基板処理装置及び基板処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-369627
出願人:東京エレクトロン株式会社
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基板処理方法および基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-281630
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
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真空乾燥装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-266485
出願人:株式会社サンズエンジニアリング
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乾燥方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-326162
出願人:ソニー株式会社
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半導体ウエハの洗浄方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-289006
出願人:日鉄セミコンダクター株式会社
-
加熱乾燥装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-187027
出願人:オリンパス光学工業株式会社
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