特許
J-GLOBAL ID:200903054825623980

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-368163
公開番号(公開出願番号):特開2006-179520
出願日: 2004年12月20日
公開日(公表日): 2006年07月06日
要約:
【課題】 信頼性および耐熱性に優れ、高出力発光可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明は、絶縁性基板が導電性部材により接合されてなる支持体と、該支持体に搭載される半導体素子とを有する半導体装置であって、支持体は、半導体素子102が配される凹部109と、該凹部109の側壁に配され半導体素子102を覆う透光性部材101とを備え、導電性部材は、半導体素子と電気的に接続されており、凹部109の底面に延出される第一の導電性部材110と、絶縁性基板により該第一の導電性部材110から絶縁され凹部109の側壁に配される第二の導電性部材111とからなる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
絶縁性部材に導電性部材が配されてなる支持体と、該支持体に搭載された半導体素子とを有する半導体装置であって、 前記支持体は、前記半導体素子が配される凹部と、少なくとも前記半導体素子を覆う透光性部材とを備え、 前記導電性部材は、前記半導体素子と電気的に接続されており、前記凹部の底部に配される第一の導電性部材と、該第一の導電性部材から絶縁された前記凹部の側壁部に配される第二の導電性部材とからなり、 前記透光性部材は、導電性材料を介して前記凹部の側壁部に配されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件):
H01L 33/00 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/59 ,  C09K 11/62 ,  C09K 11/66 ,  C09K 11/73 ,  C09K 11/80
FI (7件):
H01L33/00 N ,  C09K11/08 J ,  C09K11/59 ,  C09K11/62 ,  C09K11/66 ,  C09K11/73 ,  C09K11/80
Fターム (41件):
4H001CA05 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA12 ,  4H001XA13 ,  4H001XA14 ,  4H001XA15 ,  4H001XA17 ,  4H001XA20 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA32 ,  4H001XA38 ,  4H001XA39 ,  4H001XA56 ,  4H001XA59 ,  4H001XA65 ,  4H001YA57 ,  4H001YA58 ,  4H001YA59 ,  4H001YA63 ,  4H001YA64 ,  5F041AA33 ,  5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041DA09 ,  5F041DA34 ,  5F041DA45 ,  5F041DA72 ,  5F041DA77 ,  5F041DA82 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 特開平2-90655号公報。
  • 特開昭63-16644号公報。
審査官引用 (15件)
全件表示

前のページに戻る