特許
J-GLOBAL ID：200903054877351503

高分子光導波路デバイスの製造方法

発明者：
圷 英一

圷 英一 について

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大津 茂実

大津 茂実 について

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清水 敬司

清水 敬司 について

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谷田 和敏

谷田 和敏 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-315758
公開番号（公開出願番号）：特開2006-126568
出願日： 2004年10月29日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】 簡易かつ高精度に光学素子を光導波路の挿入した低光損失で高密度の高分子光導波路デバイスの製造方法を提供することである。【解決手段】 少なくとも、1)鋳型形成用硬化性樹脂の硬化樹脂層からなり光導波路のコア部に対応する凹部が形成された鋳型を準備する工程、2)該鋳型をクラッド基材に密着させる工程、3)該クラッド基材に密着させた鋳型の凹部にコア形成用硬化性樹脂を充填する工程、4)充填したコア形成用硬化性樹脂を硬化させる工程、5)硬化したコア部の導波方向の中間部に該コア部を切断するように光学素子設置用の空間または溝を作製する工程、6)該空間または溝の所定の位置に光学素子を挿入し位置決めする工程及び7)該光学素子の光路部とコア部とを光接合する工程を含むことを特徴とする高分子光導波路デバイスの製造方法である。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
少なくとも、1)鋳型形成用硬化性樹脂の硬化樹脂層からなり光導波路のコア部に対応する凹部が形成された鋳型を準備する工程、2)該鋳型をクラッド基材に密着させる工程、3)該クラッド基材に密着させた鋳型の凹部にコア形成用硬化性樹脂を充填する工程、4)充填したコア形成用硬化性樹脂を硬化させる工程、5)硬化したコア部の導波方向の中間部に該コア部を切断するように光学素子設置用の空間または溝を作製する工程、6)該空間または溝の所定の位置に光学素子を挿入し位置決めする工程及び7)該光学素子の光路部とコア部とを光接合する工程を含むことを特徴とする高分子光導波路デバイスの製造方法。
IPC (1件)：
G02B 6/13
FI (1件)：
G02B6/12 M
Fターム (5件)：
2H047KA04 ,  2H047PA01 ,  2H047PA28 ,  2H047QA05 ,  2H047TA31
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
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