特許
J-GLOBAL ID:200903055180741245
半導体製造装置、半導体製造方法
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
須山 佐一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-098367
公開番号(公開出願番号):特開2009-249679
出願日: 2008年04月04日
公開日(公表日): 2009年10月29日
要約:
【課題】基板の面内で均一な膜厚を有するめっき処理膜を形成すること【解決手段】この半導体装置の製造装置は、基板を回転可能に保持する保持機構と、基板上の被処理面にめっき処理を施すための処理液を供給するノズルと、保持機構に保持された基板を被処理面に沿った向きで回転させる基板回転機構と、保持機構に保持された基板上の被処理面と対向する位置で、ノズルを被処理面に沿った方向に移動させるノズル移動機構と、ノズルによる処理液の供給およびノズル移動機構によるノズルの移動動作を制御する制御部とを具備する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基板を回転可能に保持する保持機構と、
前記基板上の被処理面にめっき処理を施すための処理液を供給するノズルと、
前記保持機構に保持された前記基板を前記被処理面に沿った向きで回転させる基板回転機構と、
前記保持機構に保持された前記基板上の前記被処理面と対向する位置で、前記ノズルを前記被処理面に沿った方向に移動させるノズル移動機構と、
前記ノズルによる前記処理液の供給および前記ノズル移動機構による前記ノズルの移動動作を制御する制御部と
を具備することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件):
FI (2件):
C23C18/31 E
, C25D17/00 B
Fターム (14件):
4K022AA05
, 4K022AA31
, 4K022AA41
, 4K022BA04
, 4K022BA06
, 4K022BA24
, 4K022BA35
, 4K022DA01
, 4K022DB15
, 4K022DB18
, 4K022DB19
, 4K022DB25
, 4K022DB29
, 4K022DB30
引用特許:
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る