特許
J-GLOBAL ID：200903055263184100

熱処理方法及び熱処理装置

発明者：
青木 公也

青木 公也 について

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鈴木 勝司

鈴木 勝司 について

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白川 麻美

白川 麻美 について

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多胡 研治

多胡 研治 について

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鈴木 啓介

鈴木 啓介 について

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佐喜 和朗

佐喜 和朗 について

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森 伸二

森 伸二 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について

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株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-178669
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045220
出願日： 2004年06月16日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：
【課題】 多数枚の半導体ウエハを一括して反応容器内に搬入し、酸化処理を行って極薄のシリコン酸化膜を形成するにあたり、膜質の良いシリコン酸化膜を形成できるようにすること。【解決手段】 反応容器内の温度を400°C以下に設定した状態で、ウエハを搭載したウエハボートをローディングする。これによりローディング時の大気の巻き込みの問題がなくなる。そして反応容器内を650°C以上のプロセス温度まで昇温する工程において、水素ガスと酸素ガスとを触媒反応させ、濃度が例えば5〜1000ppmとなるように調整した微量な水蒸気を反応容器内に供給する。これにより初期酸化膜の膜質が良好になり、酸化膜の成膜速度が非常に遅いことから初期酸化膜の膜厚も小さくなる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板の表面のシリコン層を酸化してシリコン酸化膜を形成する方法において、 基板を保持具に保持して、処理領域の温度が400°C以下に設定された反応容器内に搬入する工程と、 水蒸気を反応容器内に供給しかつ処理領域を減圧しながら、当該処理領域を650°C以上の処理温度まで昇温させる工程と、 前記処理領域が処理温度まで昇温した後に、酸化用の処理ガスを反応容器内に供給し、基板の表面を酸化してシリコン酸化膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする熱処理方法。
IPC (1件)：
H01L21/316
FI (1件)：
H01L21/316 S
Fターム (5件)：
5F058BA06 ,  5F058BC02 ,  5F058BF55 ,  5F058BF63 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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