特許
J-GLOBAL ID：200903029838008244

ZnSe系半導体レーザおよびその製造方法

発明者：
西野 勇

西野 勇 について

, 
梅津 一之

梅津 一之 について

, 
佐川 徹

佐川 徹 について


出願人/特許権者：
同和鉱業株式会社

同和鉱業株式会社 について


代理人 (1件)： 丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-088930
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270806
出願日： 1997年03月24日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ZnSe系化合物半導体とする発光素子の電極部分におけるコンタクト抵抗が低く良好なオーミック接触が得られ、発熱の低減、素子の長寿命化が可能なZnSe系半導体レーザおよびその製造方法の提供。【解決手段】 n-ZnSe基板2上にn-ZnSeバッファ層4、n-MgZnSSeクラッド層7、n-ZnSe光ガイド層9を成長後、活性層としてZnCdSe層10を成長し、その上にp-ZnSe光ガイド層12、p-MgZnSSeクラッド層13、p-ZnSeバッファ層15を成長し、コンタクト層としてp-ZnSe/p-ZnTe超格子層(傾斜組成層)16を成長し、p-ZnTe層17でキャップし、さらに蒸着法でp側にはPd/Pt/Au電極21、n側にはTi/Pt/Au電極23を堆積させたものである。
請求項（抜粋）：
コンタクト層の抵抗値が10-7Ωcm-2以下、駆動電圧が3V以下、駆動電流が50mA以下であることを特徴とするZnSe系半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/477
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/477
引用特許：
出願人引用 (20件)
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審査官引用 (27件)
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