特許
J-GLOBAL ID：200903055619079439

反射防止膜の光学定数の決定方法、およびレジストパターン形成方法

発明者：
河 村 大 輔

河 村 大 輔 について

, 
塩 原 英 志

塩 原 英 志 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-275014
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086487
出願日： 2001年09月11日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 157nmの短波長に対して透明性が低いレジスト膜であっても、その膜厚変動の抑制に適した下層反射防止膜の光学定数の決定方法およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 レジスト膜厚変動による適正露光量を単調増加項と減衰振動項の和によって表した場合に、その変化曲線において極大点よりも膜厚が増加する側で上記極大点の直近に存在する極小値と上記極大値とがほぼ等しいように、または、極点が存在しないように、上記下層反射防止膜の光学定数を選択する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造工程中の光リソグラフィー工程において、露光波長に対する、底を10とする吸光係数α’が1.5μm-1以上3.0μm-1以下であるレジスト膜と下地基板との間に形成する下層反射防止膜の光学定数の決定方法であって、前記レジスト膜の膜厚変動による適正露光量を単調増加項と減衰振動項の和によって表し、その変化曲線において極大値を示す極大点よりも膜厚が増加する側で前記極大点の直近に存在する極小値と前記極大値とがほぼ等しいように、または、極大点が存在しないように、前記下層反射防止膜の光学定数を選択する手順を備え、前記吸光係数α’は、露光波長をλ、レジスト膜の消衰係数をκとするときに次式の関係を有する値である、【数1】方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 501
FI (4件)：
G03F 7/11 503 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 501 ,  H01L 21/30 574
Fターム (12件)：
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025DA34 ,  2H096AA25 ,  2H096CA06 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096LA30 ,  5F046CA03 ,  5F046PA12
引用特許：
審査官引用 (7件)
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