半導体記憶装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-174089
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368200
出願日： 2001年06月08日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】下部電極の剥離を確実に防止し得る構造を有する、所謂スタック型キャパシタ構造の半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、(A)トランジスタと、(B)該トランジスタの上方に層間絶縁層16を介して設けられ、下部電極31、高誘電体材料又は強誘電体材料から成るキャパシタ層32、及び、上部電極33から成るキャパシタ部と、(C)コンタクトプラグ21と、(D)拡散バリア層23と、(E)少なくとも下部電極31と拡散バリア層23との間に設けられた密着層30から成り、該密着層30は、貴金属元素を主成分として有し、更に、貴金属元素、アルカリ元素及びアルカリ土類金属以外の金属元素を成分として有し、且つ、酸素元素を含んでいない合金から成る。

請求項（抜粋）：

(A)トランジスタと、(B)該トランジスタの上方に層間絶縁層を介して設けられ、下部電極、高誘電体材料又は強誘電体材料から成るキャパシタ層、及び、上部電極から成るキャパシタ部と、(C)該層間絶縁層に設けられ、該層間絶縁層上に形成された下部電極とトランジスタとを電気的に接続するコンタクトプラグと、(D)下部電極とコンタクトプラグとの間に設けられた拡散バリア層、から成る半導体記憶装置であって、(E)少なくとも下部電極と拡散バリア層との間に設けられた密着層、を更に有し、該密着層は、貴金属元素を主成分として有し、更に、貴金属元素、アルカリ元素及びアルカリ土類金属以外の金属元素を成分として有し、且つ、酸素元素を含んでいない合金から成ることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 27/105 , G11C 11/22 501 , G11C 11/404

FI (4件)：

G11C 11/22 501 A , H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 444 Z , G11C 11/34 352 C

Fターム (29件)：

5F083FR01 , 5F083FR02 , 5F083GA02 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR05 , 5F083PR06 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5F083PR40 , 5M024AA70 , 5M024BB02 , 5M024BB40 , 5M024CC20 , 5M024PP01 , 5M024PP03 , 5M024PP05 , 5M024PP10

引用特許：

審査官引用 (10件)

集積回路キャパシタ及びメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-184477 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
誘電体キャパシタおよびメモリならびにそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-155390 出願人：ソニー株式会社
半導体集積回路コンデンサおよびその電極構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-097071 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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