特許

J-GLOBAL ID：200903056243354545

半導体受光素子及びその製造方法

発明者： 田中 章雅
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-406396
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167090
出願日： 2003年12月04日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】 機械的強度を保ちつつ、小型化を十分に図ることが可能な半導体受光素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体受光素子PD1は、層構造体LSと、ガラス基板1とを備える。層構造体LSは、順次積層された、反射防止膜2、n型(第一導電型)の高濃度キャリア層3、n型の光吸収層5及びn型のキャップ層7を含む。層構造体LSにおける反射防止膜2側には、膜10を介してガラス基板1が接着されている。ガラス基板1は、入射光に対して光学的に透明である。膜10は、層構造体LSの高濃度キャリア層3(反射防止膜2)側に形成される。膜10は、酸化シリコン(SiO2)からなる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

複数の化合物半導体層を積層して形成される半導体受光素子であって、 前記複数の化合物半導体層を含む層構造体の光入射面側に、酸化シリコンからなる膜を介して、入射光に対して光学的に透明なガラス基板が接着されていることを特徴とする半導体受光素子。

IPC (2件)：

H01L31/10 ,  H01L27/14

FI (2件)：

H01L31/10 A ,  H01L27/14 Z

Fターム (30件)：

4M118AA10 ,  4M118AB10 ,  4M118BA01 ,  4M118CA03 ,  4M118CB01 ,  4M118CB02 ,  4M118CB03 ,  4M118FC03 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118HA22 ,  4M118HA26 ,  4M118HA31 ,  5F049MA03 ,  5F049MB07 ,  5F049NA07 ,  5F049NA19 ,  5F049PA04 ,  5F049PA09 ,  5F049PA14 ,  5F049PA15 ,  5F049PA17 ,  5F049PA20 ,  5F049QA02 ,  5F049QA06 ,  5F049RA04 ,  5F049SE12 ,  5F049SZ03 ,  5F049TA03 ,  5F049TA12

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平3-104287号公報
  
• 光検出器及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-080877   出願人：日本電信電話株式会社
• 面発光レ-ザ、面発光レ-ザの製造方法、及び受光素子、受光素子の製造方法、並びに光伝送モジュ-ル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-157737   出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (8件)

• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-283767   出願人：株式会社日鉱共石
• 半導体受光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-085783   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体受光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-280486   出願人：日本電信電話株式会社
• 光半導体装置の電極構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-063797   出願人：富士通株式会社
• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-250729   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭60-101929
  
• 特開昭63-161680
  
• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-027197   出願人：株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社