単層カーボンナノチューブ製造方法、半導体配線構造の製造方法、フィールドエミッションディスプレイ用電子部品の製造方法及び探針製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：牛木護 , 吉田正義 , 今枝弘充 , 梅村裕明 , 清水栄松
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-152632
公開番号（公開出願番号）：特開2008-303114
出願日： 2007年06月08日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：

【課題】従来に比して用途の自由度が高い単層カーボンナノチューブを容易に製造でき、生産効率を向上し得る単層カーボンナノチューブ製造方法、半導体配線構造の製造方法、フィールドエミッションディスプレイ用電子部品の製造方法及び探針製造方法を提案する。【解決手段】初期単層カーボンナノチューブ20に外力を与えるだけで、不連続層21に沿って初期単層カーボンナノチューブ20が剥がれることにより、従来用いられていた薬品を使用することなく先端が均一に揃った欠陥のない単層カーボンナノチューブ1を製造できるので、薬品による官能基の修飾も起こらず、用途の自由度が高い単層カーボンナノチューブ1を容易に製造できる。また先端が均一に揃った欠陥のない単層カーボンナノチューブ1の製造を室温で、かつ短時間で行えると共に、フォトリソグラフィも用いることなく容易に製造できるので、単層カーボンナノチューブ1の生産効率を向上できる。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

炭素化合物を含む原料ガスを用いた化学気相法によって成長基板に第1の単層カーボンナノチューブを根元成長させる成長ステップと、前記第1の単層カーボンナノチューブの根元成長を停止させる根元成長停止ステップと、再び前記原料ガスを用いた化学気相法によって、前記第1の単層カーボンナノチューブの根元部分に第2の単層カーボンナノチューブを所定の長さまで根元成長させ、前記第1の単層カーボンナノチューブと前記第2の単層カーボンナノチューブとの間に不連続層を形成する不連続層形成ステップと、前記第1の単層カーボンナノチューブに外力を与えることにより、前記第1の単層カーボンナノチューブを前記不連続層から切除し、先端が揃った前記第2の単層カーボンナノチューブを前記成長基板に形成する切除ステップとを備えることを特徴とする単層カーボンナノチューブ製造方法。

IPC (9件)：

C01B 31/02 , B01J 23/745 , B82B 3/00 , H01J 9/02 , G01N 13/10 , H01L 21/285 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/768

FI (8件)：

C01B31/02 101F , B01J23/74 301M , B82B3/00 , H01J9/02 B , G01N13/10 111K , H01L21/285 C , H01L21/88 M , H01L21/90 A

Fターム (45件)：

4G146AA12 , 4G146AB04 , 4G146AB06 , 4G146AC02A , 4G146AD29 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BB22 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC25 , 4G146BC31B , 4G146BC33B , 4G146BC42 , 4G146BC44 , 4G146BC48 , 4G146CB08 , 4G146DA03 , 4G169AA03 , 4G169AA08 , 4G169BA01B , 4G169BC66B , 4G169CB81 , 4G169DA06 , 4G169EA08 , 4G169EB15Y , 4G169FB02 , 4M104BB36 , 4M104DD43 , 4M104DD46 , 4M104FF21 , 5C127AA01 , 5C127BA15 , 5C127BB07 , 5C127CC03 , 5C127DD07 , 5C127DD08 , 5C127DD32 , 5C127DD62 , 5C127DD69 , 5C127EE15 , 5F033JJ00 , 5F033PP02 , 5F033PP07 , 5F033WW01

引用特許：

出願人引用 (1件)

単層カーボンナノチューブの製造方法およびその製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-219344 出願人：学校法人早稲田大学

審査官引用 (9件)

カーボンナノチューブの形成方法および電子デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-038010 出願人：富士通株式会社
集積回路装置及び集積回路装置製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-135322 出願人：富士通株式会社
カーボン・ナノチューブ構造体及びその製造方法、冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-172394 出願人：ソニー株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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