特許
J-GLOBAL ID:200903057549206260
熱処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
河▲崎▼ 眞樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-304200
公開番号(公開出願番号):特開2006-120693
出願日: 2004年10月19日
公開日(公表日): 2006年05月11日
要約:
【課題】プロセスチューブ1を介して内部のガラス状炭素からなる加熱筒2を電磁誘導加熱することにより、温度制御を高速で行い熱処理作業のスループットを向上させることができる熱処理装置を提供する。【解決手段】気密にしたプロセスチューブ1内を加熱して内部の被処理物Sを熱処理する熱処理装置において、プロセスチューブ1内にガラス状炭素からなる加熱筒2を配置すると共に、このプロセスチューブ1の外側に電磁誘導加熱コイル3を配置した構成とする。また、このプロセスチューブ1が石英ガラスからなり、電磁誘導加熱コイル3が水冷式による冷却装置を備えたものとする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
気密にしたプロセスチューブ内を加熱して内部の被処理物を熱処理する熱処理装置において、
プロセスチューブ内にガラス状炭素からなる加熱筒を配置すると共に、このプロセスチューブの外側に電磁誘導加熱コイルを配置したことを特徴とする熱処理装置。
IPC (1件):
FI (1件):
引用特許:
出願人引用 (1件)
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熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-224470
出願人:光洋サーモシステム株式会社
審査官引用 (6件)
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加熱装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-351579
出願人:株式会社神戸製鋼所
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SiC単結晶の合成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-012646
出願人:住友電気工業株式会社, 西野茂弘
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半導体の製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-211532
出願人:富士通株式会社
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