特許
J-GLOBAL ID：200903057932193342
p型窒化物半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-005339
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209569
出願日： 1997年01月16日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】比較的簡単な方法で低比接触抵抗の金属電極・p型窒化物半導体接合を実現する。【解決手段】p型窒化物半導体上にV族置換型窒化物半導体の中間層を形成し、該中間層上に金属電極を形成するようにしている。中間層を構成する半導体材料としてGaNPAsSb混晶とGaNP混晶、 GaNAs混晶、 GaNSb混晶等が選ばれる。
請求項（抜粋）：
p型窒化物半導体上にV族置換型窒化物半導体の中間層を形成し、該中間層上に金属電極を形成したp型窒化物半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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