特許
J-GLOBAL ID：200903057971407198

X線露光方法、X線露光装置、微細構造および半導体装置

発明者：
糸賀 賢二

糸賀 賢二 について

, 
北山 豊樹

北山 豊樹 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-362939
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163155
出願日： 2001年11月28日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：
【要約】【課題】 露光X線の短波長化に伴って増大する基板からレジストへのカブリを抑制することにより、微細パターン形成に有利な露光X線の短波長化を可能にするX線露光方法、X線露光装置、それを用いた微細構造および半導体装置を提供する。【解決手段】 照射波長域およびその近傍に吸収端をもつ材料で構成された基板にレジスト膜を塗布し、吸収端波長を含む波長域のX線を、X線マスク6を通してレジスト膜に照射する露光方法であって、基板にいたる光路に、吸収端が属する吸収スペクトルの波長域のX線強度を減らす手段3a,3b,3c,5,9を設けて露光する。
請求項（抜粋）：
照射波長域およびその近傍に吸収端をもつ材料で構成された基板にレジスト膜を塗布し、前記吸収端波長を含む波長域のX線を、X線マスクを通して前記レジスト膜に照射する露光方法であって、前記基板の所定深さ内の表面層に吸収されるX線量と、前記レジスト膜に吸収されるX線量との比を所定値以下にして露光する、X線露光方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ,  G02B 5/22 ,  G03F 7/20 503 ,  G03F 7/20 521
FI (6件)：
G02B 5/22 ,  G03F 7/20 503 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 531 E ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 531 A
Fターム (19件)：
2H048CA05 ,  2H048CA13 ,  2H048CA17 ,  2H048CA29 ,  2H097AA02 ,  2H097BA10 ,  2H097BB02 ,  2H097BB10 ,  2H097CA15 ,  2H097EA03 ,  2H097FA01 ,  2H097FA10 ,  2H097GB00 ,  2H097JA02 ,  2H097LA10 ,  5F046GB01 ,  5F046GB07 ,  5F046GD01 ,  5F046PA09
引用特許：
審査官引用 (19件)
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