特許
J-GLOBAL ID：200903058087097572
窒化ガリウム系化合物半導体装置の製造方法及び発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-104821
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303993
出願日： 2002年04月08日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】【課題】 GaNを用いた発光素子において、発光ピーク波長を任意に制御する。【解決手段】 発光素子は、基板10上に順次n型GaN層12、InGaN発光層16,p型GaN層20、p型電極22及びn型電極24を積層して構成させる。基板10の裏面に不連続的に金属膜や溝を形成し、基板裏面側からヒータで加熱する際に基板10の面内で温度分布を形成する。基板10の温度分布により、InGaN発光層16成長時に成長温度分布が生じ、温度の高い部分ではInの組成が小さく、温度が低い部分ではInの組成が大きくなり発光ピーク波長が変化する。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系化合物半導体装置を製造する方法であって、基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層を形成する際に、面内で温度分布を生じさせつつ前記窒化ガリウム系化合物半導体層を形成するステップを有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体装置の製造方法。
Fターム (10件)：
5F041AA11
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA82
, 5F041CA92
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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